Sama seperti seri SD293X, keluarga SD294X baru memanfaatkan "metalisasi emas N-Channel MOSFET teknologi RF", dimana proses yang lama layout SD293X telah didesain ulang untuk meningkatkan kinerja RF. Secara khusus, Crss (kapasitansi Komentar) telah menurun dengan menggunakan struktur perisai, yang memungkinkan, sehubungan dengan generasi sebelumnya, RF keuntungan yang lebih tinggi. Lain peningkatan besar telah dilakukan pada RDS (on) yang telah menurun untuk mencapai yang lebih tinggi cemberut, kisaran cemberut sekarang pergi dari 175W ke 350W. Solusi teknologi ini di bawah hak paten eksklusif. Tentu saja, baik ketidakrataan terbukti dan keandalan dari generasi sebelumnya telah dipertahankan, serta ketahanan termal terendah pasar, berkat penggunaan "non alas" paket keramik.
0 komentar:
Posting Komentar